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Verwandte Teile
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI47P06TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:-47A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:I2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Current Rating-47 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time195 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time450 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Datenblätter und Dokumente
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