onsemi FQI50N06TU
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
InfineonIPI040N06N3GXKSA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI50N06TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 50 A, 22 mΩ, I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
3.75W(Ta)£¬120W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 41nC@ 10V 1individualNChannel 60V 22m¦¸@ 25A,10V 1.54pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, I2Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Onsemi FQI50N06TU
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen