onsemi FQI32N20CTU
$ 1.074
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFDI33N25TU
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK / N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI32N20CTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
MOSFETs 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.22 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max82 mΩ
Rise Time270 ns
Turn-Off Delay Time245 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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