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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
onsemiFQI32N20CTU
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI19N20TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
3.13W(Ta)£¬140W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 40nC@ 10V 1individualNChannel 200V 150m¦¸@ 9.7A,10V 1.6pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.4 A
Current Rating19.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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