onsemi FQI17N08LTU
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Verwandte Teile
onsemiFQI7N10LTU
3.75W(Ta),40W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 6nC@ 5V 1N 100V 350m¦¸@ 3.65A,10V 290pF@25V I2PAK,TO-262
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI17N08LTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
3.75W(Ta)£¬65W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 11.5nC@ 5V 1individualNChannel 80V 100m¦¸@ 8.25A,10V 520pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time290 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)80 V
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