onsemi FQI7N10LTU
$ 0.345
Obsolete
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI7N10LTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
3.75W(Ta),40W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 6nC@ 5V 1N 100V 350m¦¸@ 3.65A,10V 290pF@25V I2PAK,TO-262
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Current Rating7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance290 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max350 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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