STMicroelectronics STD8NM60ND
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
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N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD8NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
N-channel 600 V, 0.59 Ohm, 7 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 7 A, 600 V;
7 A 600 V 0.7 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance560 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation70 W
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9 ns
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant