onsemi FQD630TM
$ 0.728
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2010-03-15
LTD Date2010-09-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD5N20LT4
MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD630TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta),46W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 200V 400m¦¸@ 3.5A,10V 550pF@25V DPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 200V N-Ch QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
200V,7A, NCH MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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