onsemi FQB6N80TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 5.8 A, 1.95 Ω, D2PAK
$ 1.11
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
VericalFQB6N80TM44.000281
Rochester ElectronicsFQB6N80TM44.000
31m
Flip ElectronicsFQB6N80TM11.200
6d
RS (Formerly Allied Electronics)FQB6N80TM05Bulk
17h
Farnell
2
FQB6N80TM01Cut Tape
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQB6N80TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 5.8 A, 1.95 Ω, D2PAK
onsemi
TRANSISTOR, N-CHANNEL, QFET MOSFET, 800V, 5.8A, 1.95 MOHM AT VGS 10V, D2PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 800 V 1.95 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH, 800V, 5.8A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.8A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 158W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Farnell
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC
TME
RS
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FQB6N80TM.