onsemi FQB5N60CTM-WS
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Verwandte Teile
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MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonSPB02N60C3ATMA1
25W(Tc) 20V 3.9V@ 80¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1N 650V 3¦¸@ 1.1A,10V 200pF@25V TO-263 10mm*9.25mm*4.4mm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB5N60CTM-WS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
600V 4.5A 2´Î@10V2.25A 100W 4V@250uA 6.5pF@25V N Channel 515pF@25V 15nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) D2PAK MOSFETs ROHS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
new, original packaged
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max2.5 Ω
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