Infineon SPB02N60C3ATMA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-09-15
LTD Date2015-03-15
Verwandte Teile
onsemiFQB5N60CTM-WS
600V 4.5A 2´Î@10V2.25A 100W 4V@250uA 6.5pF@25V N Channel 515pF@25V 15nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) D2PAK MOSFETs ROHS
InfineonSPB04N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPB02N60C3ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
SPB02N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M;
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation25 W
Rds On Max3 Ω
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen