STMicroelectronics STB6N52K3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STB6N52K3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
InfineonSPB04N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB6N52K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 525 V, 1 Ohm, 5 A, D2PAK SuperMESH3(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 525V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 525V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
new, original packaged
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STB6N52K3 herunter.