onsemi FQAF15N70
$ 2.396
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQAF15N70 | 194 | 127 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQAF15N70 | 295 | 16h | |||||||||
| Microchip USA | FQAF15N70 | 374 | 600 | Tray | 9h | |||||||
| Component Stockers USA | FQAF15N70 | 430 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-FQAF15N70 | 55 | 35 | 17h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQAF15N70, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 700V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF
N-Channel 700V 9.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 700V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance560 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max560 mΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Voltage Rating (DC)700 V
Dimensions
Height29.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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