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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQAF10N80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 800V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 800V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
113W(Tc) 5V@ 250µA 71nC@ 10V 1individualNChannel 800V 1.05Ω@ 3.35A,10V 2.7pF@25V TO-3PF Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Current Rating9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation113 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation113 W
Rds On Max1.05 Ω
Rise Time115 ns
Turn-Off Delay Time125 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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