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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQAF11N90, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
900V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
900V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 900V, 0.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 900V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Current Rating7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance960 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max960 mΩ
Rise Time135 ns
Turn-Off Delay Time165 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height16.7 mm
Length15.7 mm
Width5.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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