onsemi FJA4213RTU
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Stock
166,848
173,490
173,490
Authorized Distributors
5
4
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
-
-
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-
-
hFE Min
55
55
55
Power Dissipation
130 W
130 W
130 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
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ToshibaTTA1943(Q)
TRANS PNP 230V 15A TO-3PL / Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Toshiba2SA1943N(S1,E,S)
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FJA4213RTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 250V 17A 3-Pin (3+Tab) TO-3PN Tube
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PNP Epitaxial Silicon Transistor
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PNP 5μA 250V 17A TO-3P Through hole mounting
130W Audio Amp. Tr Rohs Compliant: Yes |Onsemi FJA4213RTU
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating-15 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min55
Max Collector Current17 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation130 W
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)-230 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen