onsemi 2SA1962OTU
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Offizielles DatenblattVor 13 Jahren
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$ 2.27
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Stock
77,053
253,210
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Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-264
TO-264
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-3 V
-3 V
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
130 W
150 W
150 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-03-30
LTD Date2023-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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TRANS PNP 230V 15A TO-3PL / Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SA1962OTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
TRANS, PNP, -250V, -17A, 150DEG C, 130W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -250V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans, Pnp, -250V, -17A, 150Deg C, 130W; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:250V; Continuous Collector Current:17A; Power Dissipation:130W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2SA1962OTU
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-250 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min80
Max Collector Current17 A
Max Frequency30 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height23.8 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen