onsemi FGA120N30DTU
$ 1.328
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGA120N30DTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 1.4V @ 15V 25A 120A 290W 21ns
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel
IGBT 300V 120A 290W Through Hole TO-3P
IGBT, PDP, 300V, TO-3P; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic @ Vce Sat:25A; Current Ic Continuous a Max:120A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:130ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.43°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3P; Pin Configuration:With flywheel diode; Power Dissipation Max:290W; Power Dissipation Pd:290W; Pulsed Current Icm:300A; Rise Time:270ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:300V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Continuous Collector Current120 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation290 W
Reverse Recovery Time21 ns
Turn-Off Delay Time105 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height23.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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