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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsIRG6B330UDPBF
330V UltraFast Copack Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-220AB package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGA90N30DTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 300V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, TO-3P; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:300V; Current Ic Continuous a Max:90A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:219W; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:300V; Current Ic @ Vce Sat:20A; Current, Icm Pulsed:220A; No. of Pins:3; Pin Configuration:With flywheel diode; Power, Pd:219W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.57°C/W; Time, Fall:110ns; Time, Rise:200ns; Transistors, No. of:1
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Continuous Collector Current90 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current90 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation219 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation219 W
Reverse Recovery Time21 ns
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height23.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen