onsemi FDZ2554PZ
$ 0.703
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-05-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Verwandte Teile
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ2554PZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 18BGA
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.028ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 20/12V P-Ch Monolith Common Drain BGa
P-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins18
Number of Terminals18
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating-6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen