onsemi FDV303N

Transistor, Digital Fet, N-channel, Mosfet, 25V, 0.68A, 0.35W, SOT-23
$ 0.074
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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
3
FDV303N11.325.0003KTape & Reel
Avnet
2
FDV303N648.0003K
4d
Newark
2
FDV303N58.2911Cut Tape
Verical
4
FDV303N12.2998523
Arrow Electronics
2
FDV303N13.2601

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 6 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Master Electronics

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onsemi

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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P-Channel 20 V 65 Ohms Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDV303N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, DIGITAL FET, N-CHANNEL, MOSFET, 25V, 0.68A, 0.35W, SOT-23
RS (Formerly Allied Electronics)
DIGITAL FET, N-CHANNEL Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N DIGITAL SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 680mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissip
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 680 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 600 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 13 / Rise Time ns = 8.5 / Turn-OFF Delay Time ns = 17 / Turn-ON Delay Time ns = 3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 350
Distrelec
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in compact portable electronic devices like cellular phones and pagers. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC
Farnell
Farnell
TME
Farnell
element14 APAC
Newark
Megastar
Future Electronics
TME
DKO Electronshik
Micros
Jameco
LCSC
LZChips
Component Sense
Distrelec

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDV303N.
  • FDV303N..