onsemi FDV302P

Name: onsemi FDV302P
Brand: onsemi
SKU: FDV302P

Transistor MOSFET P-Channel 25V 125mA 350mW Surface Mount SOT-23

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDV302P	128.217	1163						0,542	4d
Flip Electronics		FDV302P	128.217								5d
element14 APAC	2	FDV302P	0	5	Cut Tape		0,085*	0,076*	0,062*	0,051*	4h
Farnell	3	FDV302P	0	5	Cut Tape		0,271*	0,129*	0,089*	0,062*	10h
Component Stockers USA		FDV302P	746			99,990	99,990	99,990	99,990	99,990	>1wk

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IHS

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Datasheet4 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Fairchild Semiconductor

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-07-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)

LTB Date2021-02-12

LTD Date2021-08-12

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDV302P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET P-Channel 25V 125mA 350mW Surface Mount SOT-23

Jameco

Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

P-Channel 25 V 13 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 350 mW

Distrelec

This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:350mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:120mA; Current Temperature:25°C; ESD HBM:6kV; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Pd:350mW; Pulse Current Idm:500mA; SMD Marking:302P; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-25V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage Vgs th Max:-1.5V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDV 302P
FDV302P.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)120 mA

Current Rating-120 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-25 V

Drain to Source Resistance10 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)-25 V

Dual Supply Voltage-25 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V

Input Capacitance11 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation350 mW

Rds On Max10 Ω

Resistance13 Ω

Rise Time8 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1 V

Turn-Off Delay Time9 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Voltage Rating (DC)-25 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length2.92 mm

Datenblätter und Dokumente

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