onsemi FDV301N

Name: onsemi FDV301N
Brand: onsemi
SKU: FDV301N

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount

$ 0.064

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	FDV301N	3.630.000	3K	Tape & Reel					0,018
Avnet	2	FDV301N	864.146	16667							4d
Newark	2	FDV301N	14.878	1	Cut Tape	0,269	0,269	0,109	0,073	0,073
Verical	4	FDV301N	1.011.000	3K						0,030
Arrow Electronics	3	FDV301N	12.768	1		0,251	0,136	0,085	0,064	0,044

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Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren

Upverter

Newark

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Philippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDV301N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 350 mW

Distrelec

This N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one N-channel FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

Fairchild Semiconductor

N CHANNEL MOSFET, 220MA, 25V, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Power Dissipation Pd:350mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:220mA; Current Temperature:25°C; ESD HBM:6kV; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Pd:350mW; Pulse Current Idm:500mA; SMD Marking:301; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.5V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDV 301 N
FDV 301N
FDV-301N
FDV301N.
FDV301N..

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)220 mA

Current2 A

Current Rating220 mA

Drain to Source Breakdown Voltage25 V

Drain to Source Resistance5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Dual Supply Voltage25 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance9.5 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Manufacturer Package IdentifierSOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE AR

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs850 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation350 mW

Rds On Max4 Ω

Resistance4 Ω

Rise Time6 ns

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Turn-Off Delay Time3.5 ns

Turn-On Delay Time3.2 ns

Voltage50 V

Voltage Rating (DC)25 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length2.92 mm

Width3.05 mm

Datenblätter und Dokumente

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