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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2011-03-02
LTD Date2011-09-02
Verwandte Teile
onsemiNTD70N03R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 72A 1.87W 1.3ns
onsemiNTD78N03-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
onsemiNTD60N02R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 32A Tc 32A 1.87W 33ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU8780, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
25V,35A,8.5 OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
50W(Tc) 2.5V@ 250¦ÌA 29nC@ 10V 1N 25V 8.5m¦¸@ 35A,10V 1.44pF@13V IPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
TRANS MOSFET N-CH 25V 35A 3PIN TO-251
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen