onsemi FDU6030BL
$ 0.703
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
onsemiNTD4815NH-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 17.6ns
onsemiNTD4809NA-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V
onsemiNTD4809NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU6030BL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.143 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max16 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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