onsemi FDU6296
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2006-04-06
LTD Date2006-10-06
Verwandte Teile
onsemiNTD4809NA-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 30V
STMicroelectronicsSTD17NF03L-1
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package
onsemiNTD4806NA-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 14A 2.14W 4.7ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU6296, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
15 A, 30 V, 0.0088 Ohm, N-Channel, Si, Power, Mosfet, To-251Aa
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
3.8W(Ta)£¬52W(Tc) 3V@ 250¦ÌA 31.5nC@ 10V 1individualNChannel 30V 8.8m¦¸@ 15A,10V 1.44pF@15V IPAK Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max8.8 mΩ
Rise Time6 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Voltage Rating (DC)30 V