onsemi FDS7788
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-01-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Verwandte Teile
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8734PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS7788, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta) 3V@ 250µA 48nC@ 5V 1individualNChannel 30V 4mΩ@ 18A,10V 3.845pF@15V SOIC-8 SMD mount
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for "low side" synchronous rectifier operation, providing an extremely low R DS(ON) in a small package.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen