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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-12-15

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDPF680N10T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

24W(Tc) 4.5V@ 250¦ÌA 17nC@ 10V 1N 100V 68m¦¸@ 6A,10V 1pF@50V TO-220F

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +0.00%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance68 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation24 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingRail/Tube

Power Dissipation24 W

Rds On Max68 mΩ

Rise Time19 ns

Turn-Off Delay Time18 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Dimensions

Height19.5 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm