onsemi FDPF51N25

Name: onsemi FDPF51N25
Brand: onsemi
SKU: FDPF51N25

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 51A, 60mΩ, TO-220F

$ 1.18

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FDPF51N25	878	50				1,151	1,101	1,101	5d
Arrow Electronics	FDPF51N25	2.445	1		1,193	1,193	1,140	1,044	1,044
Verical	FDPF51N25	2.442	6			1,199	1,147	1,049	1,049
Rochester Electronics	FDPF51N25	16					1,420	1,180	1,050	12h
DigiKey	FDPF51N25-ND	1.156	1	Tube	3,300	3,300	1,493	1,123	1,043

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Farnell

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IHS

Upverter

onsemi

Fairchild Semiconductor

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onsemiFDPF51N25

onsemiFDPF51N25YDTU

Price @ 1000

$ 1.18

$ 0.919

Stock

240,036

77,042

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

250 V

Continuous Drain Current (ID)

28 A

51 A

Threshold Voltage

5 V

Rds On Max

60 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Power Dissipation

320 W

38 W

Input Capacitance

3.41 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-09-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDPF51N25, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 51A, 60mΩ, TO-220F

onsemi

N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220F

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

MOSFET,N CH,250V,28A,TO220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:117W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:3620pF; Current Id Max:28A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.07°C/W; On State Resistance Max:60mohm; On State Resistance Typ:48mohm; Package / Case:TO-220F; Pin Configuration:G(1),D(2),S(3); Power Dissipation Pd:117W; Power Dissipation Pd:117W; Pulse Current Idm:112A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDPF51N25.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)28 A

Current Rating28 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Dual Supply Voltage250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time130 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance3.41 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation117 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation320 W

Rds On Max60 mΩ

Resistance60 MΩ

Rise Time465 ns

Schedule B8541290080

TerminationThrough Hole

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time98 ns

Turn-On Delay Time62 ns

Voltage Rating (DC)250 V

Dimensions

Height19.5 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm