onsemi FDPF33N25T

Name: onsemi FDPF33N25T
Brand: onsemi
SKU: FDPF33N25T

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, TO-220F

$ 1.197

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDPF33N25T	6.690	1		3,630	1,760	1,640	1,580	1,580
Verical	2	FDPF33N25T	600	50				1,628	1,195	1,195
Master Electronics		FDPF33N25T	600	50				1,005	0,935	0,911
Onlinecomponents.com		FDPF33N25T	600	50	Bulk			1,005	0,935	0,911
Rochester Electronics		FDPF33N25T	395					1,430	1,190	1,060	16h

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 2 Jahren

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Newark

Upverter

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-07-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDPF33N25T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, TO-220F

onsemi

Single N-Channel 250 V 0.094 Ohm 48 nC 37 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F

Win Source

TRANSISTOR, N-CHANNEL, UNIFET MOSFET, 250V, 33A, 94 MOHM, TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

250V 33A 37W 94m´Î@10V16.5A 5V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 250V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):94mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:94W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:1640pF; Current Id Max:33A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.32°C/W; On State Resistance Max:94mohm; On State Resistance Typ:77mohm; Package / Case:TO-220F; Pin Configuration:G(1),D(2),S(3); Power Dissipation Pd:94W; Power Dissipation Pd:94W; Pulse Current Idm:80A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDPF33N25T.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)33 A

Current Rating20 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance94 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time120 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance2.135 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation94 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation37 W

Rds On Max94 mΩ

Rise Time230 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time75 ns

Turn-On Delay Time35 ns

Voltage Rating (DC)250 V

Dimensions

Height19.5 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm

Datenblätter und Dokumente

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