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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
VishayIRFZ48RPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB / MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
InfineonIRFZ44EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP5680, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench
MISCELLANEOUS MOSFETS;
60V, TO220, NCH
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation65 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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