onsemi NDP6060L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 48A, 25mΩ
$ 1.53
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkNDP6060L8201
Verical
4
NDP6060L2020
Arrow ElectronicsNDP6060L2050
Future ElectronicsNDP6060L55010Tube
Master ElectronicsNDP6060L3.95050

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet12 SeitenVor 28 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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InfineonAUIRFZ44V
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Details
onsemiNDP6060
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 48A, 25mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDP6060L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 48A, 25mΩ
onsemi
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Through Hole
Avnet
60V 48A 100W 20m´Î@10V24A 2V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:100W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:48A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulse Current Idm:144A; SMD Marking:NDP6060L; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V
element14 APAC
These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Augswan
element14 APAC
Farnell
Newark
TME
iiiC
LZChips
Jameco
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDP6060L.