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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFB4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF640NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP2670, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200V/20V, 130MO, NCH, SINGLE, TO220, 1000A GATE OX
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 200V NCh PowerTrench
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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