onsemi FDMS86550
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS86550, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 234A, 1.65mΩ
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.00165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 60V, 234A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 234A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.3V; Pow
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance andyet maintain superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.53 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.65 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen