onsemi FDMS3668S
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS3668S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
2.5W ±20 @ Q 1|±12 @ Q 2 2.7V@ 250µA 29nC@ 10V 2individualNChannel 30V 8mΩ@ 13A,10V 13A，18A 1.765nF@15V PQFN-8 SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.765 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.9 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen