Infineon IRF7463TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7463TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 1d | |||||||
| Farnell | IRF7463TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 8h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7463TRPBF | 33.250 | 150 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7463TRPBF | 10.617 | 7 | Tape & Reel | 6h | |||||||
| ICPartonline | IRF7463TRPBF | 20.186 | >1wk |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7455TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;gFS 4
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
InfineonIRF7822TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5 Milliohms;ID 18A;SO-8;PD 3.1W;VGS +/-12V
InfineonIRF7809AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7463TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 8 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time138 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen