onsemi FDMS3660S

Name: onsemi FDMS3660S
Brand: onsemi
SKU: FDMS3660S

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/145A 8-Pin Power 56 T/R

$ 0.955

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	FDMS3660S	636.000	3K					0,815	21h
Newark		FDMS3660S	8.373	1	2,910	1,900	1,310	1,050	1,010
Verical	4	FDMS3660S	100	7		0,244	0,236	0,236	0,236
Arrow Electronics	2	FDMS3660S	2.900	1	0,867	0,867	0,867	0,867	0,867
Rochester Electronics	2	FDMS3660S	113.635				1,150	0,955	0,851	19h

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Upverter

Technical Drawing2 SeitenVor 5 Jahren

IHS

Master Electronics

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-01-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS3660S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/145A 8-Pin Power 56 T/R

Avnet Japan

Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V

onsemi

Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mO 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

Semicontronic

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDMS3660S.

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Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals6

Weight171 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationDual

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance1.765 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.5 V

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation1 W

Rds On Max8 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.5 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time7.7 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5 mm

Width5.9 mm