Infineon IRFH7914TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFHM831TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
onsemiNTD70N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 75A 1.87W 1.3ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH7914TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R
MOSFET, 30V, 14A, 8.7 MOHM, 8.1 NC QG, PQFN56
Mosfet, N-Ch, 15A, 30V, Qfn-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0075Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFH7914TRPBF
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N CH, 30V, 14A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:3.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:15A; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.1W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max8.7 mΩ
Resistance8.7 MΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length5.2324 mm
Width6.1468 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen