onsemi FDMC3020DC
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC3020DC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 33, 30V, 40A, 6.25mΩ
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.00625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
3W(Ta)，50W(Tc) 20V 3V@ 250µA 23nC@ 10V 1individualNChannel 30V 6.25mΩ@ 12A,10V 17A，40A 1.385nF@15V QFN SMD mount 3.3mm*3.3mm*1mm
MOSFET, N CH, 30V, 40A, POWER33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.385 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3 W
Rds On Max6.25 mΩ
Rise Time3 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen