onsemi FDMA8878

Name: onsemi FDMA8878
Brand: onsemi
SKU: FDMA8878

MOSFET, N-CH, 30V, 6MLP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current

$ 0.702

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMA8878	12.063	926					0,720	0,686	3d
Verical	3	FDMA8878	715	10			0,885	0,728	0,653	0,653
Arrow Electronics		FDMA8878	715	1		1,054	0,885	0,728	0,653	0,653
Rochester Electronics		FDMA8878	4.965					0,812	0,674	0,601	22h
DigiKey	3	FDMA8878CT-ND	24.064	1	Cut Tape	2,350	1,506	1,023	0,749	0,749

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 4 Jahren

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Master Electronics

onsemi

element14 APAC

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-05-07

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMA8878, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N-CH, 30V, 6MLP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current

Newark

N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 9.0A, 16mΩ

onsemi

N-Channel 30 V 9 A 16 mOhm 2.4 W SMT Power Trench® MOSFET - MicroFET-6 (2x2)

Future Electronics

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N-CH, 30V, 6MLP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell

Bilder

element14 APAC

Future Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance16 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance720 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.4 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.8 V

Number of Elements1

Power Dissipation2.4 W

Rds On Max16 mΩ

Rise Time2 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.8 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Dimensions

Height725 µm

Length2 mm

Width2 mm

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