onsemi FDG6301N-F085

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
FDG6301N_F08503KTape & Reel
Farnell
2
FDG6301N-F08505Cut Tape
2h
Win SourceWS-FDG6301N_F085119.960250
2h
Worldway Electronics
2
FDG6301N_F08526.4257
6h
AztechFDG6301N-F08510.362
2d

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Future Electronics

Datasheet5 SeitenVor 10 Jahren

onsemi

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Fairchild Semiconductor

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiFDG6301N-F085
onsemiFDG6301N
Price @ 1000
$ 0.158
Stock
596,588
1,654,719
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
220 mA
220 mA
Threshold Voltage
850 mV
850 mV
Rds On Max
4 Ω
4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
300 mW
300 mW
Input Capacitance
9.5 pF
9.5 pF

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDG6301N-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Future Electronics
Dual N-Channel Digital FET 25 V, 0.22 A, 4 Ω
onsemi
N-Channel Power Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDG6301N_F085
Newark
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 0.22A, 150DEG C
element14 APAC
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
FDG6301N_F085 Fairchild/ON Semiconductor
YIC International
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 0.22A, 150DEG C; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 220mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 2.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage
Farnell
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Augswan
Farnell

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDG6301NF085
  • FDG6301N_F085