onsemi NTD30N02G
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Obsolete
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Stock
103,151
190,308
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
24 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
14.5 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
75 W
-
Input Capacitance
1 nF
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD30N02G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 30A Ta 30A 75W 17ns
N Channel DPAK MOSFET 30 Amps, 24 Volts
Trans MOSFET N-CH 24V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 24V 0.014R
30 A 24 V 0.0145 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 24V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max14.5 mΩ
Rise Time115 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen