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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD6035AL herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-02-28
LTD Date2007-08-29
Verwandte Teile
InfineonIRFH8330TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
onsemiNTMFS4955NT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
onsemiFDMS0309AS
FDMS0309AS Series 30 V 49 A 3.5 mOhm N-Channel Power Trench SyncFET - POWER-56
VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD6035AL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Datenblätter und Dokumente
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