onsemi FDC8602

Name: onsemi FDC8602
Brand: onsemi
SKU: FDC8602

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ

$ 0.711

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDC8602	36.000	3K						0,608	4d
Newark	2	FDC8602	434	5	Cut Tape		1,390	0,938	0,843	0,843
Verical	2	FDC8602	31	3			1,256	0,886	0,660	0,540
Arrow Electronics	2	FDC8602	31	1		1,818	1,256	1,256	1,256	1,256
DigiKey	3	FDC8602CT-ND	5.011	1	Cut Tape	2,250	1,438	0,974	0,711	0,711

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 2 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-07-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDC8602, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100 V, 1.2 A, 350 mΩ

onsemi

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R

Avnet Japan

PT5 100/20V Nch PowerTrench MOSFET - 6LD, SUPERSOT6, JEDEC MO-193, 1.6MM WIDE

Newark

960mW 20V 4V@ 250¦ÌA 2nC@ 10V 2N 100V 350m¦¸@ 1.2A,10V 1.2A 70pF@50V SOT 2.9mm*1.6mm*1.1mm

UnikeyIC

100 V, 1.2 A, 350 MILLI OHM DUAL N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 1.2A, SUPERSOT; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.285ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltag

element14 APAC

Bilder

Farnell

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-6

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight36 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance350 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationDual

Fall Time2.3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance70 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation960 mW

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation690 mW

Rds On Max350 mΩ

Rise Time1.7 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage3.2 V

Turn-Off Delay Time5.4 ns

Turn-On Delay Time3.5 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.7 mm

Datenblätter und Dokumente

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