onsemi FDC3535

P-Channel 80 V 2.1 A 183 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SUPERSOT-6
EOL
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDC3535 herunter.

IHS

Datasheet7 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Future Electronics

onsemi

Farnell

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FDC3535 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-07-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Verwandte Teile

60V, 4A, 50M Ohm, N-Channel Logic Level Powertrench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDC5661N_F085
onsemiFDC5614P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V -3A, 105mΩ
Diodes Inc.ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6Q Series 60 V 2.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-6
Diodes Inc.ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B Series 100 V 0.23 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 / N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDC3535, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel 80 V 2.1 A 183 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SUPERSOT-6
MOSFET P-CH 80V 6-SSOT / Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
P-Channel Power Trench® MOSFET, -80 V, -2.1 A, 183 mΩ
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, P CH, -80V, -2.1A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.1A; Drain Source Voltage Vds:-80V; On Resistance Rds(on):0.147ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V; Power Dissipation Pd:1.6W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd