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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFZ34NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-20V;Qg 34
STMicroelectronicsSTB36NF06LT4
N-channel 60V - 0.032Ohm - 30A - D2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB3502, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power Trench® MOSFET 75V, 14A, 47mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
75V, 14A,47m ohm, NCH POWER TRENCH MOSFET
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 75V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
75V 22A 37m´Î@10V6A 41W 3.8V@250uA 35pF@40V N Channel 615pF@40V 11nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-263AB MOSFETs ROHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance815 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max47 mΩ
Resistance47 MΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen