Infineon IRFZ34NSTRRPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRFZ34NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRLZ34NSTRLPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB36NF06LT4
N-channel 60V - 0.032Ohm - 30A - D2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
InfineonIRF5305STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFZ34NSTRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 55 V 0.04 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:29A; On Resistance, Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time49 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm