Infineon IRFZ34NSPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRLZ34NSTRLPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB36NF06LT4
N-channel 60V - 0.032Ohm - 30A - D2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
Beschreibungen
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-20V;Qg 34
Single N-Channel 55 V 0.04 Ohm 34nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:68W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:29A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:2.2°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:68W; Power Dissipation Pd:68W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:100A; SMD Marking:FZ34NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Current Rating29 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max40 mΩ
Recovery Time86 ns
Resistance40 mΩ
Rise Time49 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height4.957 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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