onsemi FDB045AN08A0-F085
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK N-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB80N06S2L05ATMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 0.0041 Ohm, 4.5 V, 1.6 V Rohs Compliant: Yes
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiBBS3002-TL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK / P-Channel 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB045AN08A0-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 80 A, 3.9 mΩ
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
310W(Tc) 20V 4V@ 250µA 138nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 4.5mΩ@ 80A,10V 19A 6.6nF@25V D2PAK，TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time88 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen