Infineon IPB80N06S2L05ATMA1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Component Stockers USA | IPB80N06S2L05ATMA1 | 646 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IPB80N06S2L05ATMA1 | 1.000 | 9 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IPB80N06S2L05ATMA1 | 15.020 | 7 | Tape & Reel | 16h | |||||||
| Aztech | IPB80N06S2L05ATMA1 | 4.557 | 11h | |||||||||
| Fly-Wing Technology | IPB80N06S2L05ATMA1 | 995 | 14h |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB80N06S2L05ATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPB80N06S2L05ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-10-01
LTD Date2017-04-01
Verwandte Teile
VishaySUM90N04-3M3P-E3
Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
InfineonIPB80N04S4L04ATMA1
40V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N04S403ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiHUF75345S3S
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB80N06S2L05ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 0.0041 Ohm, 4.5 V, 1.6 V Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
55V, N-Ch, 5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 55V, 80A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Po
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.7 nF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time93 ns
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB80N06S2L05ATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen